電容器(qi)是大多數(shu)電子(zi)應用(yong)所必需的重(zhong)要器件(jian)。此(ci)外(wai)，它(ta)們(men)可(ke)以儲存(cun)電能(neng)，使(shi)它(ta)們(men)成(cheng)為強(qiang)大的(de)設(she)備(bei)。然而，它(ta)並(bing)非(fei)沒(mei)有(you)缺點(dian)。電容器(qi)可(ke)能會受到(dao)漏電流(liu)的影(ying)響，這(zhe)是氧化層(ceng)缺陷(xian)的結(jie)果(guo)。此(ci)外(wai)，具(ju)有(you)漏電流(liu)的電容器(qi)可(ke)能會成(cheng)為您電路(lu)中(zhong)的(de)壹(yi)個(ge)大問題(ti)。幸運(yun)的(de)是，這(zhe)個(ge)問題(ti)有壹(yi)個(ge)簡(jian)單(dan)的(de)解(jie)決方(fang)案(an)。您只(zhi)需要壹個(ge)電容漏電測(ce)試(shi)儀！
雖(sui)然電容器(qi)有(you)多種(zhong)測(ce)試(shi)，但漏電測(ce)試(shi)是重要的測(ce)試(shi)之壹(yi)。
因(yin)此(ci)，在(zai)本文中，我(wo)們(men)將告(gao)訴您有(you)關電容器(qi)漏電測(ce)試(shi)儀以(yi)及(ji)如(ru)何構建(jian)簡(jian)單(dan)且(qie)價格(ge)合(he)理(li)的漏電測(ce)試(shi)儀電路(lu)的(de)所(suo)有(you)信(xin)息(xi)。
妳(ni)準(zhun)備(bei)好了(le)嗎(ma)？讓我(wo)們(men)來學(xue)習！

DIY電容漏電測(ce)試(shi)儀

如(ru)前(qian)所(suo)述，電容器(qi)有(you)各種(zhong)測(ce)試(shi)來檢(jian)查(zha)它(ta)們(men)是否正常工作。因(yin)此(ci)，有(you)不同的電容器(qi)測(ce)試(shi)儀。您的(de)套(tao)件中(zhong)甚至可(ke)能有壹些這(zhe)樣(yang)的測(ce)試(shi)儀。 

但(dan)是，這(zhe)些電容器(qi)測(ce)試(shi)儀不是泄漏測(ce)試(shi)儀。它(ta)們(men)不測(ce)量(liang)在其設定的額(e)定電壓下流(liu)過(guo)電容器(qi)的(de)電流(liu)。另外(wai)，我(wo)們(men)知道電容器(qi)會隨(sui)著老化而開(kai)始(shi)泄漏。所以，這(zhe)裏有壹個(ge)簡(jian)單(dan)的(de) DIY 電容器(qi)泄漏測(ce)試(shi)儀，可(ke)幫助您檢(jian)查(zha)何時有(you)泄漏電容器(qi)。

電路(lu)圖(tu)

資料(liao)來源(yuan)：維(wei)基共享資源(yuan)

但是，有壹個(ge)問題(ti)。

這(zhe)種(zhong)漏電測(ce)試(shi)儀不能處(chu)理高(gao)電壓。換(huan)句(ju)話說，您將無法(fa)獲(huo)得(de)足夠的電流(liu)來測(ce)試(shi) 1 mfd 或更(geng)高(gao)的(de)電容器(qi)。因(yin)此(ci)，在(zai)測(ce)試(shi)電解(jie)電容器(qi)時(shi)，它(ta)可(ke)能不會為您提(ti)供最佳(jia)結果。但(dan)是，如果您的(de)電容器(qi)低於(yu)此(ci)值，則該(gai)測(ce)試(shi)儀將完(wan)成(cheng)工(gong)作。

註意：如(ru)果(guo)您要測(ce)試(shi)電解(jie)電容，請(qing)嘗試(shi)測(ce)量(liang)等效(xiao)串聯(lian)電阻(zu) (ESR)。

電路(lu)如(ru)何工作(zuo)

這(zhe)個(ge)簡(jian)單(dan)的(de) DIY 漏電測(ce)試(shi)器電路(lu)與(yu)使(shi)用(yong)兩個(ge) 2N3904 晶體(ti)管的 Astable 多諧振蕩(dang)器壹(yi)起(qi)使(shi)用(yong)，運行頻率約(yue)為 10 kHz。我(wo)們(men)選擇(ze)這(zhe)個(ge)頻率是因為微型(xing)變(bian)壓器(qi)（10-1 比(bi)率(lv)）在這(zhe)個(ge)頻率上(shang)效(xiao)率最(zui)高(gao)。

此(ci)外(wai)，我(wo)們(men)通過(guo)壹個(ge) 15 nF 電容器(qi)從第二個(ge)晶體(ti)管獲(huo)得(de)耦合(he)信(xin)號(hao) - 到 IRF630 MOSFET的(de)柵極。該 MOSFET 柵極在兩個(ge)兆歐(ou)電阻(zu)器(qi)之間(jian)偏(pian)置為 4.5 伏(fu)。

此(ci)外(wai)，這(zhe)些兆歐(ou)電阻(zu)器(qi)之壹(yi)是可(ke)變(bian)電阻(zu)器(qi)，可(ke)改變(bian)進(jin)入(ru)柵極的信號(hao)大小。因(yin)此(ci)，改變(bian)輸出(chu)電壓。

此(ci)外(wai)，當(dang)您將 IRF630 連(lian)接到升壓變(bian)壓器(qi)的(de)初級（1-10 比率）時，IRF630 的漏極會從 25 伏(fu)峰(feng)值升至約 225 伏(fu)峰(feng)值。接下來，它(ta)將這(zhe)個(ge)升高(gao)的(de)電壓應用(yong)到電壓多(duo)人遊戲(xi)。因此(ci)，最(zui)終產(chan)品是大約 1000 伏(fu)的(de)直(zhi)流(liu)電。 

為了完(wan)成(cheng)這(zhe)個(ge)過(guo)程，電路(lu)向(xiang)兩個(ge)外(wai)部端(duan)子(zi)施(shi)加(jia) 1000 伏(fu)的(de)直(zhi)流(liu)電。此(ci)外(wai)，正極通過(guo) 0-400 微安(an)表移動(dong)到正極端子(zi)。最(zui)後(hou)，外(wai)部端(duan)子(zi)是香蕉端(duan)子(zi)，因(yin)此(ci)您可(ke)以安(an)裝(zhuang)各種(zhong)標準(zhun)尺寸的儀表探頭。該電路(lu)通(tong)過(guo)按(an)鈕開(kai)關獲(huo)得(de) 9v 電池電流(liu)。

所需的組(zu)件(jian)和工具(ju)

以(yi)下是構建(jian)此(ci)電路(lu)所(suo)需的零(ling)件(jian)和工具(ju)：

• 電子(zi)焊錫(xi)

• 各種(zhong)螺絲刀(dao)

• 長(chang)嘴(zui)鉗

• 萬(wan)用(yong)表

• 40瓦(wa)烙(lao)鐵(tie)

• 鉸刀(dao)和微型(xing)銼(cuo)刀(dao)組(zu)

• 帶鉆(zuan)索(suo)引(yin)的電鉆(zuan)

• 2N3904 雙(shuang)極晶體(ti)管 (2)

• 15 nF 電容器(qi) (3) 

• IRF630 MOSFET (1) 

• 4.7k 電阻(zu) (2) 

• 1N914 二(er)極管 (2) 

• 1k 電阻(zu) (1) 

• ½ 瓦(wa)，1 兆(zhao)歐(ou)電位器 (1) 

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• 10-1微型(xing)音頻變(bian)壓器(qi) (1) 

• 9 伏(fu)電池連(lian)接器(1) 

• 9 伏(fu)電池 (1) 

• 額(e)定電壓至少(shao)為 400 伏(fu)的(de) 2000 pF 電容器(qi) (13) 

• 1N4007 二(er)極管 (13) 

• 壹套(tao)香蕉千(qian)斤頂，壹紅(hong)壹黑(hei) (1) 

• 用(yong)於電流(liu)指示(shi)的微(wei)型(xing)模(mo)擬儀表。最(zui)好小於(yu) 1 毫(hao)安(an)的(de)運動 (1) 

• 不同顏色(se)的連接線和熱縮管可(ke)安(an)裝(zhuang)在承載(zai)高(gao)電壓的(de)電線上

• 電位器旋(xuan)鈕

• 微型(xing)按(an)鈕開(kai)關 (1) 

腳步(bu)

以(yi)下是嘗試(shi)此(ci)電路(lu)時(shi)要遵循(xun)的步(bu)驟(zhou)：

步(bu)驟(zhou) 1：組(zu)裝(zhuang)和安(an)裝(zhuang)組(zu)件(jian)

首先，壹個(ge)盒(he)子(zi)並(bing)為按(an)鈕開(kai)關、儀表、電位計鉆(zuan)必要的孔(kong)，並為香蕉插頭鉆(zuan)兩個(ge)孔(kong)。接下來，使(shi)用(yong)大小合(he)適(shi)的鉆(zuan)頭(tou)將組(zu)件(jian)安(an)裝(zhuang)在盒(he)子(zi)的(de)上半部和下半(ban)部。

第 2 步(bu)：制作(zuo)您的(de) Crocroft-Walton 電壓倍增(zeng)器(qi)

使(shi)用(yong)壹塊 Veroboard 來制作(zuo)電壓倍增(zeng)器(qi)。使(shi)用(yong) 3 x 1 ½ 英寸的壹(yi)個(ge)，以便(bian)組(zu)件(jian)可(ke)以整齊(qi)地安(an)裝(zhuang)。

Veroboard

第 3 步(bu)：制作(zuo)您的(de)多(duo)諧振蕩(dang)器

使(shi)用(yong)壹塊 3 x 1 ¾ 英寸的Veroboard構建(jian)多諧振蕩(dang)器。使(shi)用(yong)完(wan)多(duo)諧振蕩(dang)器後(hou)，請(qing)確保(bao)它(ta)以(yi) 10 kHz 的(de)頻率運(yun)行(xing)。

第 4 步(bu)：接線

接下來，確保(bao)將所(suo)有東(dong)西(xi)連(lian)接在壹起(qi)。用(yong)普通的連(lian)接線連接高(gao)壓線——在線體上(shang)有壹(yi)個(ge)熱縮管套(tao)。

第 4 步(bu)：測(ce)試(shi)您的(de)電路(lu)

使(shi)用(yong)測(ce)試(shi)儀檢(jian)查(zha)套(tao)件中(zhong)的壞電容器(qi)。確保(bao)它(ta)正常工作，以(yi)防(fang)您必須重新連接所有組(zu)件(jian)。

如(ru)何測(ce)試(shi)這(zhe)個(ge)電路(lu)

組(zu)裝(zhuang)好零(ling)件(jian)後(hou)，先用(yong)示波器(qi)進(jin)行測(ce)試(shi)。因此(ci)，檢(jian)查(zha)來自最(zui)左側(ce) MOSFET 柵極的信號(hao)，您應該(gai)看到(dao)壹個(ge) 9 伏(fu)的(de)正鋸齒波波形(xing)。由(you)於 MOSFET 的(de)電容輸入(ru)，此(ci)鋸(ju)齒波應具(ju)有(you)大約(yue) 1 微(wei)秒的負尖峰(feng)。

此(ci)外(wai)，第二個(ge)波形(xing)應顯(xian)示連(lian)接到變(bian)壓器(qi)後(hou) MOSFET 何時漏電。另外(wai)，在(zai)達到(dao) 20 伏(fu)峰(feng)值之前(qian)，您應該(gai)註意(yi)到更圓潤的波形(xing)。

註(zhu)意：波形(xing)開(kai)始(shi)處(chu)的第壹個(ge) 25 伏(fu)尖(jian)峰(feng)是由於初級變(bian)壓器(qi)對其(qi)接收的電流(liu)變(bian)化的抵抗力。

現在(zai)，第三(san)個(ge)波形(xing)顯(xian)示了(le)從變(bian)壓器(qi)移出(chu)並(bing)應用(yong)於電壓倍增(zeng)器(qi)輸入(ru)時的信(xin)號(hao)。此(ci)處(chu)的峰(feng)值約為 225 伏(fu)。因(yin)此(ci)，電壓倍增(zeng)器(qi)將該(gai)電壓倍增(zeng)至約 1000 伏(fu)直(zhi)流(liu)電。

那不是全部。

完(wan)成(cheng)示(shi)波器(qi)測(ce)試(shi)後(hou)，使(shi)用(yong)泄漏測(ce)試(shi)儀檢(jian)查(zha)壹(yi)些電容器(qi)。在(zai)我(wo)們(men)的測(ce)試(shi)中，我(wo)們(men)使(shi)用(yong)了壹個(ge)額(e)定電壓為 400 伏(fu)的(de)現(xian)代(dai)電容器(qi)和壹個(ge)額(e)定電壓為 400 伏(fu)的(de)老式紙(zhi)電容器(qi)。

對於(yu)現(xian)代(dai)電容器(qi)，我(wo)們(men)使(shi)用(yong)泄漏測(ce)試(shi)儀施(shi)加(jia)了大約(yue) 400 伏(fu)的(de)電壓，泄漏約為 25 微安(an)。這(zhe)是壹個(ge)很小的(de)泄漏，因此(ci)現(xian)代(dai)電容器(qi)通(tong)過(guo)了測(ce)試(shi)。

另壹(yi)方(fang)面(mian)，我(wo)們(men)對老式電容器(qi)施(shi)加(jia)相同的(de) 400 伏(fu)電壓，我(wo)們(men)發現(xian)它(ta)通(tong)過(guo)了 10 倍的電流(liu)。這(zhe)是壹個(ge)很大的泄漏，因此(ci)不適(shi)合(he)任何電路(lu)。

最(zui)後(hou)的話(hua)

壹(yi)個(ge)簡(jian)單(dan)的(de)電容漏電測(ce)試(shi)儀可(ke)以測(ce)試(shi)1uf到450uf範(fan)圍(wei)內(nei)的(de)漏電電解(jie)電容。此(ci)外(wai)，它(ta)能(neng)夠測(ce)試(shi)大型(xing)啟(qi)動(dong)和運行電容器(qi)以(yi)及具(ju)有(you) 10v 額(e)定值的較(jiao)小 1uf 電容器(qi)。 

但(dan)是，壹旦掌(zhang)握了時序周(zhou)期，就可(ke)以測(ce)試(shi)1uf以下（0.uf）和450uf以上（最高(gao)650uf）。此(ci)外(wai)，您還可(ke)以使(shi)用(yong)此(ci)測(ce)試(shi)儀檢(jian)查(zha)電線中的(de)絕緣(yuan)電阻(zu)並(bing)測(ce)試(shi)二極管的反向擊(ji)穿(chuan)特(te)性(xing)。

註(zhu)意：小心(xin)！該(gai)設備(bei)能(neng)夠產生(sheng)高(gao)達(da) 1000 伏(fu)的(de)高(gao)壓。濫(lan)用(yong)此(ci)設(she)備(bei)可(ke)能是致(zhi)命的(de)。因此(ci)，只(zhi)有(you)在(zai)您了(le)解(jie)高(gao)壓工(gong)作(zuo)的(de)安(an)全(quan)措施(shi)後(hou)才能(neng)繼(ji)續。

好吧(ba)，這(zhe)包含(han)了您需要了解(jie)的(de)有關電容泄漏測(ce)試(shi)儀以(yi)及(ji)如(ru)何制作(zuo)它(ta)的(de)所(suo)有信(xin)息(xi)。如(ru)果(guo)您有(you)其(qi)他(ta)問(wen)題(ti)，請(qing)隨(sui)時與(yu)我(wo)們(men)聯系(xi)，我(wo)們(men)將很(hen)樂意為您提(ti)供幫助(zhu)。