晶閘管(guan)與(yu)晶體管是(shi)半(ban)導體(ti)器件，您(nin)可(ke)以(yi)在多種(zhong)開關(guan)操(cao)作中(zhong)找(zhao)到(dao)它。而(er)且(qie)，它們(men)都(dou)具有(you)無與(yu)倫比(bi)的(de)優(you)勢。 

然(ran)而，雖(sui)然它們(men)在幾個(ge)特(te)性(xing)上(shang)有(you)所不同(tong)，但它們(men)都(dou)適用於(yu)特(te)定的功率(lv)控(kong)制(zhi)應(ying)用。 

在本文中(zhong)，我們(men)將(jiang)討論(lun)晶閘(zha)管和晶體(ti)管之(zhi)間(jian)的(de)顯(xian)著(zhe)差異(yi)。 

什(shen)麽是(shi)晶(jing)閘管(guan)？

晶(jing)閘(zha)管或(huo)可(ke)控(kong)矽整(zheng)流(liu)器（SCR）是(shi)壹(yi)種三端器件。它們(men)是(shi)柵極(ji)（控(kong)制(zhi)端子(zi)）、陰(yin)極(ji)（負端子(zi)）和陽極(ji)（正端子(zi)）端子(zi)。

 此(ci)外(wai)，它有(you)四個半(ban)導體(ti)層(ceng)，起(qi)到(dao)整(zheng)流(liu)器的作用。它也可(ke)以(yi)是(shi)電(dian)子(zi)電(dian)路(lu)中(zhong)的開關(guan)和數(shu)字電(dian)路(lu)中(zhong)的電(dian)源(yuan)。我(wo)們(men)也將(jiang)其視為(wei)壹(yi)對緊(jin)密(mi)耦合的晶體(ti)管(guan)。 

晶(jing)閘管(guan)與(yu)晶體管 - 什麽是(shi)晶(jing)體管(guan)？

晶(jing)體(ti)管是(shi)壹(yi)種在電(dian)路(lu)中(zhong)開關(guan)或(huo)放(fang)大信號(hao)的半(ban)導體(ti)器件。它具有(you)三個(ge)端子(zi)（基(ji)極(ji)、集電(dian)極(ji)和發射(she)極）和三個(ge)包含(han) P 型和 N 型的半(ban)導體(ti)層(ceng)。由(you)於(yu)層(ceng)類型，我們(men)有(you)多種晶(jing)體管(guan)，例(li)如(ru) NPN 晶體管和 PNP 晶體(ti)管（雙(shuang)極(ji)結(jie)型晶體(ti)管(guan)）。 

晶閘管(guan)與(yu)晶體管之間(jian)的(de)主(zhu)要(yao)區(qu)別 

• 高電(dian)壓(ya)和電(dian)流(liu)額(e)定值(zhi)

晶(jing)閘管(guan)具有(you)獨(du)特(te)的設(she)計(ji)，使其(qi)能夠在比晶(jing)體管(guan)更高的額(e)定電(dian)流(liu)和額(e)定電(dian)壓(ya)下(xia)運(yun)行(xing)。 

• 功率(lv)處理能(neng)力 

晶閘管可(ke)以(yi)承(cheng)受(shou)很(hen)高的功(gong)率(lv)，因為(wei)它們(men)在高壓下(xia)承(cheng)載(zai)電(dian)流(liu)。因(yin)此(ci)，最(zui)好(hao)在大功率(lv)應用中(zhong)使用晶閘(zha)管。 

相(xiang)反(fan)，晶(jing)體(ti)管在低(di)電(dian)壓(ya)和低(di)電(dian)流(liu)下(xia)工(gong)作。因此(ci)，它們(men)不(bu)能處理高功率(lv)，適用於(yu)低(di)功率(lv)應用。 

• 半(ban)導體(ti)材(cai)料(liao)層(ceng) 

晶(jing)體(ti)管(guan)具有(you)三個(ge)半(ban)導體(ti)層(ceng)，分(fen)別是(shi)N 型和 P 型材(cai)料(liao)。

晶(jing)閘管有(you)四層(ceng)，其(qi)中(zhong) N 型和 P 型半(ban)導體(ti)材(cai)料(liao)具有(you)交替連(lian)接(jie) (PNPN)。 

作品

晶體(ti)管和晶閘(zha)管都(dou)有(you)獨(du)特(te)的設(she)計(ji)和特(te)定的組件。您(nin)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)連(lian)接(jie)三個(ge)半(ban)導體(ti)層(ceng)來(lai)獲得(de)晶(jing)體(ti)管(guan)。那(na)麽，晶(jing)閘(zha)管(guan)有(you)四個N型和P型材(cai)料(liao)的(de)半(ban)導體(ti)層(ceng)，交(jiao)替排(pai)列。 

路(lu)口數(shu)量 

晶體(ti)管(guan)有(you)兩個(ge)連(lian)接(jie)點(dian)，而(er)晶(jing)閘(zha)管有(you)三個(ge)連(lian)接(jie)點(dian)。 

晶(jing)閘(zha)管(guan)與(yu)晶體管 ——系(xi)統(tong)的總(zong)成(cheng)本(ben)

通(tong)常(chang)，電(dian)子(zi)電(dian)路(lu)中(zhong)的晶(jing)體管(guan)會(hui)降低(di)系(xi)統(tong)成本(ben)，而晶閘管會(hui)增加(jia)系(xi)統(tong)成本(ben)，因此價格昂貴(gui)。 

操作模式(shi)

晶(jing)閘(zha)管(guan)在將(jiang)器件鎖(suo)定在導通(tong)狀(zhuang)態(tai)時(shi)涉(she)及(ji)瞬(shun)時(shi)柵極(ji)脈沖。 

對於(yu)晶(jing)體管的工(gong)作模式(shi)，您(nin)將(jiang)在基極(ji)端子(zi)上(shang)施加(jia)壹個脈沖以(yi)開始(shi)導通(tong)。之(zhi)後(hou)，您(nin)將(jiang)擁(yong)有(you)穩定的(de)基極(ji)信號(hao)供應(ying)以維持(chi)導通(tong)。 

放(fang)大器使用 

您(nin)可(ke)以(yi)將(jiang)晶體(ti)管用作放(fang)大器或(huo)開關(guan)，但晶(jing)閘管只能(neng)用作開關(guan)而(er)不(bu)是(shi)放(fang)大器。 

晶閘(zha)管(guan)與(yu)晶體管—— 內部功率(lv)損(sun)耗 

晶(jing)閘管和晶體(ti)管都(dou)有(you)內部功(gong)率(lv)損(sun)耗。然(ran)而，晶閘管的損(sun)耗比(bi)晶體管低(di)，因此(ci)效率(lv)更高。 

電(dian)路(lu)尺(chi)寸 

由這兩種(zhong)器件制(zhi)成(cheng)的(de)電(dian)路(lu)尺(chi)寸不同(tong)，與(yu)較小(xiao)的(de)晶(jing)體(ti)管(guan)相(xiang)比(bi)，晶(jing)閘(zha)管體積(ji)更大。因此(ci)，晶(jing)體管電(dian)路(lu)設(she)計(ji)通常(chang)比(bi)晶(jing)閘管設(she)計(ji)更小(xiao)且(qie)更緊(jin)湊(cou)。 

電(dian)路(lu)成本(ben)

晶閘管制(zhi)作的電(dian)路(lu)比晶(jing)體管制(zhi)作的電(dian)路(lu)成本(ben)高，這是(shi)因(yin)為晶(jing)閘(zha)管(guan)體積(ji)比(bi)較大。 

換向(xiang)電(dian)路(lu)的要(yao)求 

晶(jing)閘(zha)管需(xu)要(yao)壹(yi)個換向(xiang)電(dian)路(lu)來(lai)幫助它按(an)命(ming)令(ling)關(guan)閉，而(er)晶體管(guan)則不需(xu)要(yao)。 

晶(jing)閘管(guan)與(yu)晶體管 ——導通(tong)和關(guan)斷時(shi)間(jian)

晶(jing)體(ti)管(guan)具有(you)很(hen)高的開關(guan)速(su)度(du)，這意(yi)味著(zhe)您(nin)可(ke)以(yi)在需(xu)要(yao)時(shi)快(kuai)速打(da)開和關(guan)閉它們(men)。因(yin)此，您(nin)可(ke)以(yi)在高頻應(ying)用中(zhong)使用它們(men)。 

相(xiang)反(fan)，晶(jing)閘(zha)管的開關(guan)速(su)度(du)較低(di)，只能(neng)適用於(yu)低(di)頻應(ying)用。 

適應(ying)性(xing) 

您(nin)通常(chang)會(hui)在高頻和低(di)功率(lv)應用中(zhong)使用晶體(ti)管，而晶(jing)閘(zha)管(guan)最(zui)適(shi)合(he)低(di)頻和高功率(lv)應用。 

正向(xiang)電(dian)流(liu)維護 

對於(yu)晶(jing)體管電(dian)路(lu)，您(nin)需(xu)要(yao)持(chi)續(xu)輸(shu)入(ru)以維持(chi)正向(xiang)電(dian)流(liu)。 

相(xiang)反(fan)，您(nin)在晶閘(zha)管中(zhong)使用脈沖來(lai)保(bao)持(chi)正向(xiang)電(dian)流(liu)流(liu)動(dong)，除(chu)非(fei)它低(di)於(yu)閾值(zhi)。此(ci)外，您(nin)不需(xu)要(yao)輸(shu)入(ru)電(dian)流(liu)。 

晶(jing)閘(zha)管與(yu)晶體管—— 觸(chu)發程序

您(nin)必(bi)須不(bu)斷向(xiang)晶體(ti)管(guan)提(ti)供(gong)有(you)規律的(de)電(dian)流(liu)脈沖，以(yi)確保(bao)有(you)效導通(tong)。 

晶(jing)閘管(guan)在開始(shi)時(shi)只需(xu)要(yao)壹(yi)個觸(chu)發脈沖即(ji)可(ke)啟(qi)動(dong)和維持(chi)導通(tong)。 

體(ti)積(ji)大 

晶閘(zha)管(guan)電(dian)路(lu)比晶(jing)體管電(dian)路(lu)體積(ji)大。 

額(e)定功(gong)率(lv) 

晶體(ti)管(guan)的(de)額(e)定功(gong)率(lv)（瓦）較低(di)，而晶(jing)閘管可(ke)以(yi)在高達 KW（千瓦(wa)）的高功率(lv)下工(gong)作。 

晶閘(zha)管與(yu)晶體管——浪湧電(dian)流(liu)容量

晶體(ti)管(guan)電(dian)路(lu)可(ke)以(yi)承(cheng)受(shou)較低(di)的電(dian)流(liu)變(bian)化率(lv)，因此(ci)它不(bu)具有(you)浪湧電(dian)流(liu)容量特(te)性(xing)。 

然(ran)而，晶閘管(guan)可(ke)以(yi)承(cheng)受(shou)很(hen)高的電(dian)流(liu)變(bian)化率(lv)。因此(ci)，它表現(xian)出(chu)浪湧(yong)電(dian)流(liu)容量特(te)性(xing)。 

結(jie)論

從上(shang)面(mian)的討(tao)論(lun)中(zhong)，我們(men)現在可(ke)以(yi)輕(qing)松(song)區(qu)分(fen)晶(jing)體(ti)管和晶閘(zha)管。例(li)如(ru)，晶體管是(shi)三層(ceng)器件。但是(shi)，晶(jing)閘管(guan)是(shi)四層(ceng)器件，兩者(zhe)有(you)顯(xian)著(zhe)區(qu)別。

因(yin)此(ci)，根據(ju)您(nin)的需(xu)要(yao)，它們(men)中(zhong)的每(mei)壹個(ge)都(dou)有(you)壹系(xi)列好(hao)處。但是(shi)，到(dao)目(mu)前為止，我們可(ke)以(yi)看(kan)到(dao)晶(jing)閘管在效率(lv)和可(ke)靠(kao)性(xing)方面(mian)優(you)於(yu)晶(jing)體管。 

總(zong)而(er)言(yan)之，我(wo)們將(jiang)隨(sui)時(shi)等(deng)待您(nin)的詢(xun)問或(huo)澄(cheng)清。只需(xu)聯系(xi)我(wo)們，即(ji)可(ke)獲得(de)您(nin)的答案。