1. 靜電(dian)放電(dian)

    靜電(dian)放電(dian)被(bei)定(ding)義為(wei)由直接接(jie)觸(chu)或(huo)由靜電(dian)場(chang)感應引(yin)起的不同靜(jing)電(dian)電(dian)位(wei)的物(wu)體(ti)之間的(de)靜電(dian)荷轉(zhuan)移。

    通常(chang)的(de) ESD 包(bao)括(kuo)從(cong)電(dian)容(rong)性物(wu)品(pin)釋放存儲(chu)的(de)電(dian)荷，最(zui)基(ji)本(ben)形式的電(dian)容(rong)性物(wu)品(pin)是人體。其他(ta)典(dian)型(xing)的電(dian)荷存儲(chu)體(ti)包括(kuo)底(di)盤(pan)、衣服(fu)、椅子(zi)等。大多(duo)數 ESD 故(gu)障發(fa)生(sheng)在人(ren)類對大(da)約(yue) 4000 V 開始的靜電(dian)放電(dian)的(de)感覺之下。然而(er)，大(da)多(duo)數集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)和許多(duo)分立部(bu)件(jian)在低(di)於(yu) 4000 V 的(de)閾(yu)值(zhi)下發(fa)生(sheng)故(gu)障。除(chu)了(le)在極(ji)其幹(gan)燥(zao)的(de)大氣條(tiao)件(jian)下，靜電(dian)放電(dian)的(de)感覺很(hen)少(shao)發(fa)生(sheng)。

    典(dian)型(xing)的敏(min)感性水(shui)平(ping)：

    2. ESD 和 EOS（電(dian)氣過(guo)載(zai)）：

    ESD 以外的(de)電(dian)氣過(guo)應力(li) (EOS) 故(gu)障通(tong)常(chang)持(chi)續(xu)時(shi)間較長(chang)，通常(chang)大(da)於(yu) 50 毫秒(miao)。典(dian)型(xing)的 EOS 電(dian)源(yuan)為 230 VAC、50 Hz，對(dui)直流或(huo)交流(liu)電(dian)位(wei)的意外短(duan)路(lu)超過(guo)柵(zha)極(ji)氧(yang)化層擊穿或(huo)不同持(chi)續(xu)時(shi)間的(de)系(xi)統瞬(shun)變(bian)。在這(zhe)些情況(kuang)下，加熱(re)的(de)持(chi)續(xu)時(shi)間通(tong)常(chang)比(bi)典(dian)型(xing)的 ESD 暴(bao)露期間更(geng)長(chang)，從而(er)導(dao)致更(geng)廣泛(fan)的(de)損(sun)壞(huai)。通常(chang)，EOS 瞬(shun)變(bian)比(bi) ESD 瞬變(bian)持(chi)續(xu)時(shi)間更(geng)長(chang)。此外(wai)，EOS 引(yin)起的故(gu)障可(ke)能(neng)是正向或(huo)反向偏(pian)置(zhi)。正(zheng)向偏(pian)置(zhi) EOS 通(tong)常(chang)由(you)高(gao)電(dian)流(liu)的結果損(sun)壞(huai)證明(ming)，例如內部(bu)連(lian)接(jie)的(de)熔(rong)化和(he)/汽化。例如，TTL 輸(shu)入門暴(bao)露於 14V 電(dian)壓(ya)達(da) 200 毫秒(miao)，峰(feng)值(zhi)電(dian)流(liu)為 500 mA，導(dao)致(zhi)內部(bu)連(lian)接(jie)的(de)高(gao)電(dian)流(liu)熔(rong)化。

    ESD 造成(cheng)的最(zui)普(pu)遍(bian)的(de)結損(sun)壞(huai)發(fa)生(sheng)在反(fan)向(xiang)偏(pian)置(zhi)條(tiao)件下，並由(you)降級(ji)的(de) IV 特(te)性(xing)證明(ming)。退化可(ke)以(yi)是從幾乎可(ke)以(yi)忽略(lve)不計的(de)曲(qu)線(xian)偏(pian)移(yi)到(dao)短路(lu)。除了(le)最(zui)嚴(yan)重(zhong)的情況(kuang)外(wai)，通(tong)過(guo)顯(xian)微鏡檢查芯(xin)片表(biao)面(mian)，物(wu)理損壞(huai)是不可(ke)見(jian)的。

    3. 表面電(dian)阻率(lv)：

    對於表(biao)面，電(dian)阻與(yu)寬度(du) W 成(cheng)比(bi)例地(di)減(jian)小(xiao)，並(bing)與長(chang)度(du) l 成(cheng)比(bi)例地(di)增(zeng)大(da)。

    電(dian)阻率(lv)，R 由(you)下式給出

    R=kl/W

    其中 k 是比(bi)例常(chang)數(shu)。

    在正(zheng)方(fang)形的(de)情況(kuang)下，其中(zhong) l = W，方程(cheng)簡化為(wei)

    R=k

    從等式可(ke)以(yi)看出，如果l=W，則(ze)l和(he)W的大(da)小(xiao)無關(guan)緊(jin)要，因(yin)此正方形的大(da)小(xiao)無關(guan)緊(jin)要。換(huan)句話說，

    rs= 表面電(dian)阻率(lv) =k = l = W 時(shi)的電(dian)阻

    根(gen)據表(biao)面電(dian)阻率(lv)對(dui)材料進行分類的術(shu)語目前定(ding)義如下：

    導電(dian)：<= 10 5per square

    靜電(dian)耗(hao)散(san)：10 5 to 10 9W

    抗靜電(dian)：10 9 to 10 14W per square

    絕(jue)緣：> 10 14 W per square

    但(dan)是，以上僅是指(zhi)示(shi)性(xing)的，如有必要，可(ke)以(yi)根(gen)據個(ge)人要求(qiu)定(ding)制(zhi)限(xian)制(zhi)。

    濕度(du)的影響：

    較高(gao)的(de)濕度(du)會根(gen)據材料不同程(cheng)度(du)地增(zeng)加(jia)材料的水(shui)分(fen)含量。這(zhe)種增(zeng)加(jia)的(de)水(shui)分(fen)含量會(hui)降(jiang)低(di)電(dian)阻率(lv)。