FET 在(zai)電路(lu)中非常(chang)重要(yao)。但(dan)是(shi)很容(rong)易(yi)在(zai)您的電(dian)路(lu)中安裝(zhuang)有(you)缺陷(xian)的 FET，這(zhe)會(hui)導致壹(yi)些(xie)不(bu)良結(jie)果(guo)。幸(xing)運的是(shi)，我(wo)們(men)知(zhi)道這個問(wen)題(ti)的答案(an)，您(nin)需(xu)要(yao)的是(shi) FET 測(ce)試。

FET因其(qi)低輸出電阻和高輸(shu)入(ru)電阻(zu)而(er)通(tong)常在(zai)各(ge)種電(dian)路(lu)中用(yong)作放(fang)大器(qi)。

此(ci)外(wai)，在(zai)安裝(zhuang)之(zhi)前測(ce)試您(nin)的 FET 以避(bi)免(mian)安(an)裝(zhuang)有(you)缺陷(xian)的組(zu)件(jian)是(shi)必(bi)不可少的。

因此(ci)，本(ben)文(wen)將向(xiang)您(nin)展(zhan)示(shi)如(ru)何(he)測(ce)試 FET、JFET、MOSFET，以及(ji)如(ru)何(he)構建(jian)簡單的 MOSFET 測(ce)試儀(yi)夾(jia)具電(dian)路(lu)。

妳(ni)準(zhun)備(bei)好(hao)了嗎(ma)？讓(rang)我(wo)們(men)直(zhi)接(jie)跳(tiao)進(jin)去(qu)。

如何(he)測(ce)試 FET

功率單元和電(dian)路(lu)中的 FET 持(chi)續供電並(bing)長(chang)時(shi)間(jian)運行(xing)，可能(neng)會(hui)損壞(huai)並使您的工(gong)作電(dian)路(lu)出現故障。因此(ci)，這(zhe)就是(shi)測(ce)試該(gai)晶(jing)體管(guan)至關(guan)重(zhong)要(yao)的原(yuan)因，因為(wei)這可能(neng)是(shi)您修(xiu)復課(ke)程的第(di)壹(yi)步。

如何(he)用(yong)萬(wan)用(yong)表(biao)測(ce)試 FET

要(yao)使用(yong)萬(wan)用(yong)表(biao)正(zheng)確(que)測(ce)試您(nin)的 FET ，請(qing)按照我(wo)們(men)將(jiang)在(zai)下(xia)面(mian)提供的圖表和程(cheng)序進行(xing)操作：

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程序

首先(xian)，將萬(wan)用(yong)表(biao)的黑(hei)色(se)探(tan)頭連接(jie)到漏極(ji)引(yin)腳 (D)，將紅(hong)色探(tan)頭連接(jie)到源極(ji)引(yin)腳 (S)。您應(ying)該看(kan)到即將到來(lai)的二(er)極(ji)管(guan)的轉(zhuan)換(huan)值。請(qing)務必(bi)牢記(ji)這(zhe)壹點。

接(jie)下(xia)來(lai)，將紅色探(tan)針(zhen)移(yi)至快門銷 (G)，以便(bian)您可以部分打開(kai)場(chang)效(xiao)應(ying)晶體管(guan)。完成此(ci)操(cao)作後(hou)，將(jiang)紅(hong)色(se)檢查(zha)移(yi)回 S。由(you)於 FET 部分開路(lu)，您應(ying)該會(hui)看到稍(shao)小的轉(zhuan)換(huan)值。

現在(zai)，要(yao)關(guan)閉 FET，將(jiang)黑(hei)色(se)探(tan)針(zhen)從 D 移(yi)到 G。然(ran)後(hou)將(jiang)其(qi)移(yi)回，您(nin)應(ying)該看(kan)到轉換(huan)值(zhi)與(yu)第(di)壹(yi)個值(zhi)相同(tong)。因此(ci)，晶(jing)體管(guan)已(yi)完全(quan)關(guan)閉。

此(ci)外(wai)，有(you)源 FET 快(kuai)門(men) (G) 的電(dian)阻(zu)應(ying)等(deng)於(yu)無(wu)窮大。

註(zhu)意：該(gai)程(cheng)序適用(yong)於(yu)晶(jing)體管(guan)的 n 溝道場(chang)。如(ru)果(guo)要(yao)測(ce)試 p-channel area，策(ce)略是(shi)壹樣(yang)的。但(dan)是(shi)妳(ni)必(bi)須改(gai)變探(tan)頭的極(ji)性(xing)。對(dui)於(yu)n通(tong)道，黑(hei)查(zha)為(wei)正(zheng)端(duan)，紅(hong)查(zha)為(wei)負(fu)。

您還可以使用(yong)連接(jie)到 FET 的小(xiao)電(dian)路(lu)對(dui)其(qi)進行測(ce)試。雖(sui)然(ran)它(ta)會(hui)提供快速(su)準確(que)的結(jie)果(guo)，但(dan)如(ru)果(guo)您(nin)有(you)萬用(yong)表(biao)，則(ze)不(bu)需要(yao)。但(dan)是(shi)，如果(guo)您(nin)想幹(gan)預(yu)您的電(dian)路(lu)，那(na)麽(me)您(nin)可以嘗(chang)試這(zhe)種方(fang)法。

數字(zi)萬(wan)用(yong)表(biao)

如(ru)何(he)測(ce)試 JFET？

我(wo)們(men)將(jiang)討論可用(yong)於(yu)測(ce)試 JFET 晶(jing)體管(guan)的兩(liang)種方(fang)法。這些(xie)方(fang)法包(bao)括(kuo)使用(yong)元(yuan)件(jian)測(ce)試儀(yi)測(ce)試 JFET 和使用(yong)萬(wan)用(yong)表(biao)測(ce)試 JFET。

如(ru)何(he)使用(yong)元(yuan)件(jian)測(ce)試儀(yi)測(ce)試 JFET

組(zu)件(jian)測(ce)試員(yuan)

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這種方(fang)法比(bi)使用(yong)萬(wan)用(yong)表(biao)更(geng)直(zhi)接，其(qi)結果(guo)準(zhun)確(que)且(qie)快(kuai)速(su)。為(wei)此(ci)，首(shou)先(xian)從電(dian)路(lu)上(shang)拆下(xia) JFET 並將其(qi)插入(ru)組件(jian)測(ce)試儀(yi)。接(jie)下(xia)來(lai)，使用(yong)杠(gang)桿連接(jie)並(bing)固定 JFET。最(zui)後(hou)，按下(xia)按鈕(niu)。就這(zhe)麽(me)簡(jian)單。

因此(ci)，如(ru)果(guo)您(nin)有(you)壹個工(gong)作的 JFET，元(yuan)件(jian)測(ce)試儀(yi)會(hui)顯(xian)示(shi)它(ta)並(bing)顯(xian)示(shi)壹(yi)些(xie)關(guan)於(yu)晶(jing)體管(guan)引(yin)腳(jiao)的額(e)外(wai)信息(xi)。

JFET 測(ce)試結(jie)果(guo)

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如何(he)用(yong)萬(wan)用(yong)表(biao)測(ce)試 JFET

僅使用(yong)萬(wan)用(yong)表(biao)無(wu)法獲得所需的準(zhun)確(que)測(ce)試結(jie)果(guo)。因此(ci)，要(yao)使用(yong)萬(wan)用(yong)表(biao)徹(che)底測(ce)試 JFET，您(nin)必(bi)須構建(jian)壹個用(yong)於(yu)打(da)開(kai)/關(guan)閉設(she)備(bei)的小(xiao)型(xing)電路(lu)。因此(ci)，允(yun)許您(nin)測(ce)量(liang)開和關(guan)模式。

此(ci)外(wai)，妳(ni)必(bi)須知(zhi)道妳(ni)的引(yin)腳(jiao)。換句(ju)話說(shuo)，您應(ying)該知(zhi)道柵(zha)極(ji)、漏(lou)極(ji)和源(yuan)極(ji)分別是(shi)什麽(me)支(zhi)腳(jiao)。 

JFET 引(yin)腳(jiao)排(pai)列(lie)

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此(ci)外(wai)，即使 JFET 未連接(jie)到電路(lu)，它(ta)也(ye)可以保(bao)持(chi)開啟(qi)狀態(tai)。因此(ci)，在(zai)測(ce)試之(zhi)前確(que)保(bao)晶(jing)體管(guan)處(chu)於關(guan)閉模式。

壹(yi)旦(dan)確(que)定 JFET 已(yi)關(guan)閉，您(nin)現在(zai)可以使用(yong)萬(wan)用(yong)表(biao)測(ce)量(liang)晶體管(guan)的電(dian)阻(zu)。確(que)保(bao)將(jiang)設(she)備(bei)設(she)置(zhi)為(wei)低歐姆(mu)範圍，以便(bian)讀數準確(que)。

最(zui)後(hou)，您(nin)應(ying)該看(kan)到 100 到 130 歐姆(mu)範(fan)圍內的東(dong)西(xi)。但這(zhe)取決於(yu)實際的晶(jing)體管(guan)。 

但(dan)是(shi)，如果(guo)您(nin)的讀(du)數很高或(huo)者(zhe)您(nin)看到 JFET 不導(dao)通(tong)，則(ze)您(nin)的晶(jing)體管(guan)有(you)缺陷(xian)。

註(zhu)意：您可以將(jiang) JFET 連接(jie)到面(mian)包(bao)板(ban)，也可以連接(jie)引(yin)線以簡(jian)化操作。

用(yong)萬(wan)用(yong)表(biao)測(ce)試 JFET

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如何(he)測(ce)試 MOSFET

在(zai)將 MOSFET 安裝(zhuang)到任何(he)電(dian)路(lu)之(zhi)前，您(nin)必(bi)須始終(zhong)對(dui)其(qi)進行測(ce)試。此(ci)外(wai)，安裝(zhuang)有(you)缺陷(xian)的功率 MOSFET 可能(neng)對(dui)您(nin)的課(ke)程有(you)害。因此(ci)，如(ru)果(guo)您(nin)想了解(jie)有(you)關(guan)測(ce)試 MOSFET 的更(geng)多(duo)信息(xi)，可以在(zai)此(ci)處(chu)閱讀(du)。

N 溝道 MOSFET

簡單的 MOSFET 測(ce)試儀(yi)夾(jia)具電(dian)路(lu)

學生(sheng)和技術人員(yuan)廣(guang)泛(fan)使用(yong) MOSFET 測(ce)試儀(yi)來(lai)測(ce)量(liang)晶體管(guan)、固態(tai)二(er)極(ji)管(guan)，當(dang)然(ran)還有(you) MOSFET。使用(yong)此(ci)電(dian)路(lu)，您將知(zhi)道晶體管(guan)或(huo)二(er)極(ji)管(guan)是(shi)否(fou)正(zheng)常(chang)工(gong)作或(huo)有(you)缺陷(xian)。但(dan)是(shi)，您不(bu)會(hui)從該(gai)測(ce)試儀(yi)獲(huo)得所測(ce)量(liang)的電(dian)氣(qi)參數。

順(shun)便(bian)說(shuo)壹下(xia)，以下(xia)是(shi)該電(dian)路(lu)所需的組(zu)件(jian)： 

• NE555 定時(shi)器(qi)IC (1)

• BC547 晶體管(guan) (1)

• 10 uF 電(dian)容(rong)器(qi) (1)

• 9V 直流(liu)電(dian)池(chi) (1)

• 33k 和 220 歐(ou)姆(mu)電阻器(qi) (5)

• 電池(chi)夾 (1)

• 1N4007 二(er)極(ji)管(guan) (1)

• 母(mu)頭針(zhen) (3)

• 45W-65W 烙鐵(tie)和電(dian)線 (1)

• 5mm, 3.5V LED (2)

• Veroboard (1)

• 跳(tiao)線

跳(tiao)線

要(yao)遵(zun)循的步驟(zhou)

首(shou)先(xian)，拿(na)起您的 Veroboard 並(bing)焊(han)接您(nin)的 NE555 計(ji)時(shi)器(qi)。然(ran)後(hou)，在(zai)引腳 2 和 3 之(zhi)間(jian)連接(jie)壹(yi)個 33k 歐(ou)姆(mu)的電(dian)阻(zu)器(qi)，並連接(jie) Veroboard 上(shang)的插(cha)頭引(yin)腳。另(ling)外(wai)，不要(yao)忘記(ji)焊(han)接。

接(jie)下(xia)來(lai)，在(zai)引腳 3 和 8 之(zhi)間(jian)連接(jie)壹(yi)個 220 歐(ou)姆(mu)的電(dian)阻(zu)器(qi)，然(ran)後(hou)將(jiang)壹(yi)個 1N4007 二(er)極(ji)管(guan)的陰(yin)極(ji)連接(jie)到另壹(yi)個的陽極引腳(jiao)。此(ci)外(wai)，取母(mu)頭針(zhen)（集電(dian)極(ji)）並(bing)將壹個陽極 - 陰極(ji)結(jie)焊(han)接到第壹(yi)個結(jie)，並(bing)將另(ling)壹(yi)個角(jiao)連接(jie)到 220 歐姆(mu)電(dian)阻器(qi)。

與(yu) LED 重(zhong)復相同(tong)的陽極到陰極(ji)連接(jie)，並(bing)將其(qi)與(yu)另(ling)壹(yi)個母(mu)頭針(zhen)（發(fa)射(she)器(qi)）連接(jie)。此(ci)外(wai)，將另(ling)壹個結(jie)連接(jie)到陽極和二(er)極(ji)管(guan)對(dui)的陰(yin)極(ji)結。

此(ci)外(wai)，在(zai)二極管(guan)結(jie)（陽極-陰極(ji)）和基(ji)座(zuo)母(mu)頭引(yin)腳之(zhi)間(jian)連接(jie)壹(yi)個 220 歐(ou)姆(mu)的電(dian)阻(zu)器(qi)。接下(xia)來(lai)，點擊(ji) 10 uF 電(dian)容器(qi)的正(zheng)極(ji)引(yin)腳(jiao)，引(yin)腳 2 和 6，負(fu)極連接(jie)到電路(lu)的 GND。在(zai)此(ci)之(zhi)後(hou)，在(zai)母(mu)頭發(fa)射(she)器(qi)、母(mu)頭底(di)座和 pin3 之(zhi)間(jian)連接(jie)壹(yi)個 220 歐(ou)姆(mu)電阻(zu)器(qi)。

最(zui)後(hou)，將(jiang)電(dian)池(chi)夾連接(jie)到引腳(jiao) 4 和 8，並(bing)使用(yong) 9V 電(dian)池(chi)打開(kai)電(dian)路(lu)。 

包(bao)起來(lai)

我(wo)們(men)提到在(zai)任何(he)電(dian)路(lu)中使用(yong) FET、JFET 和 MOSFET 之(zhi)前對(dui)其(qi)進行測(ce)試是(shi)多麽(me)重(zhong)要(yao)。在(zai)您的課(ke)程中添加(jia)壹(yi)個糟(zao)糕(gao)的晶(jing)體管(guan)會(hui)對(dui)電(dian)路(lu)造(zao)成很大(da)的損壞(huai)。

功率晶(jing)體管(guan)

在(zai)我(wo)們(men)總(zong)結這(zhe)篇(pian)文(wen)章之(zhi)前，有(you)壹些(xie)在(zai)測(ce)試 FET 時(shi)應(ying)該知(zhi)道的技巧。首(shou)先(xian)，檢查(zha)萬(wan)用(yong)表(biao)的各(ge)種電(dian)阻(zu)以確(que)保(bao)您(nin)不(bu)需(xu)要(yao)額(e)外(wai)的電(dian)路(lu)。對(dui)於(yu)從柵(zha)極(ji)到源極(ji)的 JFET，如(ru)果(guo)您(nin)的萬(wan)用(yong)表(biao)在(zai)兩(liang)個探(tan)頭上(shang)都(dou)顯(xian)示(shi)低(di)電阻(zu)，則(ze)它(ta)不(bu)是(shi)很準(zhun)確(que)。 

最(zui)後(hou)，從漏(lou)極(ji)到源極(ji)的 MOSFET 測(ce)量(liang)應(ying)該具有(you)無限大的電(dian)阻(zu)，而電(dian)阻低意味(wei)著(zhe)您的 MOSFET 有(you)故障。有(you)任何(he)問(wen)題(ti)嗎(ma)？聯(lian)系我(wo)們(men)，我(wo)們(men)會(hui)在(zai)最(zui)短(duan)的時(shi)間(jian)內回(hui)復。我(wo)們(men)很樂意(yi)幫(bang)助(zhu)妳(ni)。